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发布日期:2026-03-14 09:24    点击次数:177

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(原标题:UFS 4.1程序商用落地,行业巨头积极反映)

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UFS 4.1程序的制定... QLC 等大容量存储器的实施可能会加快。

出动开导的下一代 NAND 程序依然制定。与现存存储器比较,其性能使其更容易终了大容量存储器,瞻望夙昔其在东说念主工智能智妙手机等领域的诳骗率将会加多。据称,三星电子和SK海力士也正在密切和蔼相干时代。

据业内东说念主士近日音讯,国外半导体程序组织(JEDEC)近日公布了“UFS 4.1”的程序。

SK海力士前年下半年头次发布UFS 4.1样品

UFS 代表通用闪存存储。它是一款专注于智妙手机和平板电脑等出动开导的NAND产物,其特质是擢升了功效和可靠性。第一个程序于 2011 年制定,当今仍在高价值产物中积极遴荐。

从1.0运转,UFS程序抵制完善,并于2022年诞生了4.0版块。此外,JEDEC前年底创建了下一代程序UFS 4.1以及相应的接口,并于本月流露了具体性能。

UFS 4.1 引入了更高效的内存处分和新功能来擢升系统迷糊量,并包括 RPMB(受保护内存块重放)认证以留意未经授权的数据视察。

极度是,UFS 4.1 擢升了精度,从而增强了存储电路性能。JEDEC 阐述说,这为 QLC(四级单元)的实施铺平了说念路。

凭据一个单元(存储存储器的最小单元)存储若干位,NAND分为SLC(单级单元;1)、MLC(多级单元;2)和TLC(三级单元;3)、QLC等。由于QLC存储的位数更多,因此更容易终了大容量产物。但时代难度也较高。

面前,跟着东说念主工智能时代的发展,IT行业对数据存储和处理提议了更高的条款。因此,QLC NAND依然成为数据中心SSD(eSSD)行业的焦点。由于三星电子和苹果正在加强下一代智妙手机的开导端AI性能,瞻望夙昔出动NAND市集将遴荐QLC。

三星电子、SK海力士等国内企业也齐在和蔼UFS 4.1程序的诞生。

三星电子施行董事 Hyun Jae-woong 默示:“UFS 是一种高性能、低功耗和微型封装的存储器,相配适合边际东说念主工智能以及出动和汽车行业。” UFS 4.1包括UFS性能和安全性、QLC撑握等。“它在校正方面是有用的,”他说。

据了解,UFS 4.1遴荐了MIPI® Alliance的M-PHY® 5.0和UniPro® 2.0表率,使接口带宽翻倍,读写速率最高可达约4.2 GB/s,为出动存储带来前所未有的高速体验。

新程序加强了畸形类型处理,擢升复原速率,校正运做事况见告,使得系统粗略更实时地处理失实,为四级单元(QLC) NAND的应用奠定基础。

UFS 4.1引入了主机启动碎屑整理功能,通过优化读取流量,进一步擢升内存珍重成果。此外,还调理了WriteBooster缓冲区和Partial Flush,以最大化系统迷糊量。

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